飛行時間二次離子質譜儀

Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質譜工作站設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用，包括聚合物，藥物，超導體，半導體，合金，光學和功能涂層以及電介質，檢測限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質譜和飛行時間質譜。

四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析，低入射能力，高入射電流，濺射和分析連續進行，是典型的Dynamic SIMS 動態SIMS。

飛行時間二次離子質譜TOF-SIMS使用飛行時間質譜，質量數范圍寬，質量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析，且電流小，所以產生的二次離子比率相對少，靈敏度相比動態SIMS弱，但成像和表面分析能力強，是典型的Stactic SIMS 靜態SIMS。

一臺SIMS同時提供四極桿質譜和飛行時間質譜

靜態SIMS  Static SIMS

動態SIMS  Dynamic SIMS

Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍

樣品 3D成像分析

檢測限低于ppm

SNMS 離子源，二次中性粒子譜

二次離子質譜成像軟件，靜態二次離子質譜圖庫，二次離子質譜后處理軟件

技術參數：
質量數范圍：300，510或1000amu
分辨率：5%的谷，兩個相連的等高峰。
檢測器：離子計數檢測器，正、負離子檢測
檢測限：1:10E7
質量過濾器：三級過濾四極桿（9mm桿）
主離子槍： A，氧離子或其它氣體，能量到5KeV
          B，Ga離子槍，能量25KeV（選配）
空間分辨率：A：100～150um
           B: 50nm
取樣深度：2個單分子層（靜態）
         不受限制（動態）


主要特點：
1、高靈敏度脈沖離子計數檢測器，7個數量級的動態范圍
2、SIMS 成像，分辨率在微米以下
3、光柵控制，增強深度分析能力
4、所有能量范圍內，離子行程的最小擾動，及恒定離子傳輸
5、差式泵3級過濾四極桿，質量數范圍至1000amu
6、靈敏度高 / 穩定的脈沖離子計數檢測器
7、Penning規和互鎖裝置可提供過壓保護
8、通過RS232、RS485或Ethernet LAN，軟件 MASsoft控制